Экономика
28.03 11:43

Дисульфид тантала: теория российских ученых позволит создавать память нового поколения

Дисульфид тантала: теория российских ученых позволит создавать память нового поколения

Российские ученые разобрались в принципах образования скрытого состояния слоистого дисульфида тантала. Данный материал может применяться в современной микроэлектронике.

Специалисты Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» разработали теорию, которая объясняет физические свойства дисульфида тантала. Речь идет о так называемом скрытом состоянии. Ученые выяснили, что состояние перспективного материала при воздействии сверхкоротким лазерным или электрическим импульсом меняется, из диэлектрика он становился проводником и наоборот. Об этом сообщает «РИА Новости».

Благодаря уникальным свойствам, дисульфид тантала рассматривается разработчиками как перспективный материал для компьютерной памяти нового поколения. Российским ученым из «МИСиС» удалось найти теоретическое обоснование свойств вышеупомянутого вещества. Они объяснили, почему одноименные заряды в такой структуре не отталкиваются, а притягиваются друг к другу.

«Оказалось, этот процесс энергетически выгоднее, чем максимальное удаление положительных зарядов друг от друга, потому что при образовании дробно заряженных доменных стенок минимизируется заряд на каждом из составляющих стенку атомов, из-за чего доменная система и становится более стабильной, что полностью подтвердил эксперимент», – рассказал один из разработчиков.

Разработчики отметили, что их исследование подтвердило теорию, согласно которой дисульфид тантала можно использовать для хранения и сверхбыстрой работы с информацией. Предполагается, что на этой основе можно будет создавать модули памяти нового поколения, которые в разы быстрее тех, что используются во всех современных устройствах.


Автор: Станислав Блохин

Источник фото: pixabay.com/fancycrave1

Подпишись на Рассылку

Самые интересные статьи, обзоры и размышления — в рассылке!

Я согласен с условиями пользовательского соглашения