Общество
11.08 10:39

Ученые разработали наномагнитные элементы памяти

Ученые разработали наномагнитные элементы памяти

Ученым удалось разработать новый метод создания спиновых наномагнитных элементов памяти. Специалисты выяснили, что таковые могут собираться сами при распылении магнитных наночастиц в диэлектрической матрице.

Как передает портал «N+1», свойства новых элементов делают соответствующие устройства чрезвычайно перспективными в области энергонезависимой спинтроники. Согласно результатам исследования китайско-американской группы ученых, отличием спинтронных элементов от обычных электронных является место кодировки и хранения данных: не в зарядах, а в спинах.

Отмечается, что наномагнитные устройства делаются в вакууме при 520 градусах Цельсия. В итоге у ученых получилась пленка с ячейками, величина которых составила всего пять нанометров. Разделены таковые диэлектрическим слоем толщиной один нанометр. Управлять микроскопическими частицами можно с помощью туннельного тока и спецмикроскопа.

Перспективными спиновые наномагнитные элементы памяти делает то, что они не требуют для хранения данных энергии, а использовать их можно на устройствах с чрезвычайно низким потреблением мощности.

Автор: Виктор Буткевич

Источник фото: pixabay.com

Подпишись на Рассылку

Самые интересные статьи, обзоры и размышления — в рассылке!

Я согласен с условиями пользовательского соглашения
Новости партнёров
Загрузка...