Вечная память: в России изобрели сверхскоростную замену ОЗУ

plashka-kvadrat

Ученые из России и Франции создали совершенно новый тип памяти, который может положить конец монополии полупроводниковых запоминающих устройств.

Научный журнал Applied Physics Letters опубликовал результаты разработок российских ученых, которые смогли изобрести новый тип оперативной памяти, сочетающей высокую скорость работы обычной электронной памяти и низкое энергопотребление магнитных носителей информации.

«Индустрия RAM сегодня очень сильно развита, ее скорости становятся все больше, однако есть существенный недостаток, который пока не удается преодолеть, — ее низкая энергоэффективность. Созданная нами магнитно-электрическая ячейка памяти позволит снизить затраты энергии на запись и чтение в десятки тысяч раз», — отметил директор Института радиотехники и электроники РАН и заведующий кафедрой в МФТИ Сергей Никитов.

До сегодняшнего дня достойной альтернативы оперативным запоминающим устройствам попросту не было. Технологии, основанные на том же принципе «быстрой» памяти, такие как оптические или ферромагнитные, не пользуются большой популярностью среди производителей вычислительных комплексов из-за серьезных недостатков, препятствующих их широкому применению: высокое тепловыделение, громоздкие размеры, чувствительность к окружающей среде и т.д.

Никитов же и его коллеги смогли создать новый сверхбыстрый и при этом практичный тип памяти MELRAM, который, по словам разработчиков способен положить конец «монополии» полупроводниковой памяти.

Таким образом, ученые разрешили главную проблему магнитных систем записи и чтения информации, заключающуюся в невозможности миниатюризации ячеек магнитной памяти. Используя специальные материалы, меняющие свои магнитные свойства при деформации, команда Никитова соединила два таких вещества в единый «бутерброд» для создания ячеек магнитоэлектрической памяти, где ноль и единица обозначаются направлением намагниченности, а не электрическим зарядом конденсатора, как в обычной оперативной памяти.

Главное преимущество такой ячейки памяти заключается в фактически вечном хранении информации. Кроме того, такие устройства можно уменьшить до размеров транзисторов, так как для работы MELRAM не нужны внешние датчики магнитного поля.

По мнению авторов работы, при переходе к маленьким размерам работоспособность предложенного ими решения никак не ухудшится, а значит, можно утверждать, что у MELRAM хорошие перспективы в области вычислительной техники с жесткими требованиями к энергопотреблению.

Материал подготовил Сергей Перелесов

13 июля 2017 в 19:50
Ответы: 3
  1. Думаете производители после этой статьи в очередь выстроились возле кабинета зав кафедры МФТИ??? Вот так и живёт корпоративный мир — либо зав каф продаст им патент с полной передачей прав, либо просто внутренние инженеры фирмы лет через 7-10 воспроизведут эту технологию, запатентуют на продаваемом рынке и компания будет прибыль извлекать, а профессор так и останется в истории изобретателем, даже если обратиться в центры коммерциализации интеллектуальной собственности.

  2. Собственно, вот сама статья про «ОЗУ».
    Magnetoelectric write and read operations in a stress-mediated multiferroic memory cell
    http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.4983717

    «в России изобрели». Смотрим список авторов:

    Alexey Klimov1,2,3, Nicolas Tiercelin2, Yannick Dusch2, Stefano Giordano2, Théo Mathurin2, Philippe Pernod2, Vladimir Preobrazhensky2,4, Anton Churbanov1,5, and Sergei Nikitov1,5

    И видим там очень русские имена и фамилии типа Dusch, Giordano, Pernod… Т.е. — коллектив авторов, среди них больше половины — иностранцы.

    У первого автора, Климова, указаны 3 места работы. Второе из них — во Франции. Если он получал там зарплату и деньги на исследования, использовал их аппаратуру (т.е. НЕ в России), то как минимум часть прав на открытие — у тех, кто деньги платил.

Оставьте свой комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *